Sandisk se une a SK Hynix para crear un avance de memoria flash que pueda eliminar el rendimiento de la IA y la eficiencia del centro de datos en todo el mundo
- Sandisk y SK Hynix proponen memoria de ancho de banda alto con flashpoderes para manejar modelos de IA más grandes
- Flash de alto ancho de banda podría almacenar muchos más datos que HBM basado en DRAM para cargas de trabajo de IA
- El ahorro de energía de la no volatilidad de NAND podría remodelar las estrategias de enfriamiento del centro de datos de IA
Sandisk y SK Hynix han firmado un acuerdo para desarrollar una tecnología de memoria que podría cambiar la forma en que los aceleradores de IA manejan los datos a escala.
Las compañías apuntan a estandarizar “Flash de ancho de banda” (HBF), un Noble-La alternativa basada en la memoria tradicional de alto ancho de banda utilizada en las GPU AI.
El concepto se basa en diseños de empaque similares a HBM al tiempo que reemplaza parte de la pila DRAM con flash, intercambia cierta latencia por una capacidad y no volatilidad enormemente aumentada.
Pilas de memoria de IA para manejar modelos más grandes con demandas de energía más bajas
Este enfoque permite que HBF proporcione entre ocho y dieciséis veces el almacenamiento de HBM a base de DRAM a costos aproximadamente similares.
La capacidad de NAND para retener datos sin potencia constante también trae ahorros de energía potenciales, un factor cada vez más importante a medida que la inferencia de IA se expande a entornos con energía estricta y límites de enfriamiento.
Para los operadores de hiperescala que ejecutan modelos grandes, el cambio podría ayudar a abordar las limitaciones térmicas y presupuestarias que ya están forzando las operaciones del centro de datos.
Este plan se alinea con un concepto de investigación titulado “LLM in a Flash”, que describió cómo modelos de idiomas grandes Podría funcionar de manera más eficiente incorporando SSD como un nivel adicional, aliviando la presión sobre DRAM.
HBF esencialmente integra esa lógica en un solo paquete de ancho de banda alto, combinando potencialmente la escala de almacenamiento del SSD más grande con el perfil de velocidad necesario para las cargas de trabajo de IA.
Sandisk presentó su prototipo HBF en el Flash Memory Summit 2025, utilizando técnicas de enlace BICS nand y obleas patentadas.
Se esperan módulos de muestra en la segunda mitad de 2026, con el primer hardware de IA usando HBF proyectado para principios de 2027.
No se han revelado asociaciones específicas de productos, pero la posición de SK Hynix como un importante proveedor de memoria para los principales fabricantes de chips de IA, incluidos Nvidiapodría acelerar la adopción una vez que se finalicen los estándares.
Este movimiento también se produce cuando otros fabricantes exploran ideas similares.
Samsung ha anunciado niveles de almacenamiento de IA respaldados por Flash y continúa desarrollando HBM4 DRAM, mientras que compañías como Nvidia siguen comprometidas con diseños de DRAM-peses.
Si tiene éxito, la colaboración Sandisk y SK Hynix podría crear pilas de memoria heterogéneas donde coexisten Dram, Flash y otros tipos de almacenamiento persistentes.
A través de Hardware Toms
