Kioxia desarrolla un prototipo de memoria flash de 5 TB con cuentas encadenadas de margarita que mantienen el ancho de banda y reducen la latencia para las aplicaciones de la computación y la IA móvil.
- Kioxia desarrolla un prototipo de memoria flash de 5 TB con un ancho de banda de 64 GB/S para la computación de borde
- El módulo de memoria prototipo demuestra el diseño de la cadena de margaritas manteniendo el ancho de banda a capacidades más altas
- El nuevo módulo utiliza la señalización de PAM4 y el controlador del controlador para mejorar el rendimiento de flash
Kioxia ha desarrollado un nuevo tipo de módulo prototipo de memoria flash que ofrece una gran capacidad y un alto ancho de banda.
El módulo se creó en el proyecto de I + D de mejora de la infraestructura de información de información y información de comunicación posterior a 5G de Japón dirigido por NEDO, la Agencia Nacional de Investigación.
El módulo ofrece 5 TB de almacenamiento y una velocidad de transferencia de 64 GB/s, colocándolo como una alternativa o suplemento potencial para la DRAM convencional en el procesamiento de datos. Kioxia dijo que el diseño aborda la compensación de larga data entre el ancho de banda y la capacidad que se encuentra en los módulos DRAM al organizar chips de memoria flash en una cadena de margaritas en lugar de una conexión de bus.
Cuentas de flash
Cada unidad de flash, descrita como una cuenta, está conectada en secuencia con su propio controlador. El diseño de la cadena de margaritas permite que la capacidad se expanda sin degradar el ancho de banda, algo que ha sido una limitación en las arquitecturas anteriores.
La compañía también desarrolló transceptores de alta velocidad capaces de rendimiento de 128 Gbps. Estos usan la modulación PAM4, que codifica dos bits de información por señal, duplicando el ancho de banda efectivo en comparación con la señalización binaria tradicional.
Junto a esto, las nuevas características del controlador, como la prolongación, ayudan a reducir la latencia de lectura, mientras que la señalización de baja amplitud y la corrección de distorsión aumentan la velocidad de la interfaz de memoria a 4.0 Gbps.
Kioxia informó que el prototipo consume menos de 40 W cuando opera a un ancho de banda completo a través de una conexión PCIe Gen 6 de ocho carriles.
La combinación de eficiencia energética y rendimiento se está presentando como un paso para hacer que Flash sea más práctico en los roles intensivos en memoria generalmente ocupados por DRAM.
El trabajo está dirigido a los servidores en entornos de computación de borde móvil, donde 5G y 6g Las redes crean la necesidad de procesar información más cercana a los dispositivos Fin.
Las cargas de trabajo de IoT y IA en tiempo real están impulsando el interés en los sistemas de memoria que equilibran el costo, la capacidad y el rendimiento.
Kioxia dijo que planea continuar desarrollando esta tecnología para la comercialización, con usos potenciales en IoT, análisis de big data y modelos de IA avanzados, incluida la IA generativa.
